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DOI:
上海电力大学学报:2008,24(3):295-298
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IGBT驱动模块的研究
(上海电力学院 电力与自动化工程学院, 上海 200090)
The Research of IGBT's Drive Module
(School of Electric Power & Automation Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai 200090, China)
摘要
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投稿时间:2008-06-23    
中文摘要: 介绍了IGBT的驱动特性,对IGBT专用集成驱动芯片EXB841和M57962AL作了比较研究.根据EXB841在应用中存在的问题,提出了一种优化设计电路.并介绍了IGBT与M57962AL两种驱动模块的优缺点.
中文关键词: 保护阈值  软关断  动作阈值  双电源
Abstract:The drive characteristics of IGBT are introduced;research is conducted on EXB841 and M57962AL,two CMOS chips that are used to drive IGBT.Because of the deficiencies of EXB841's application.The paper proposes an optimized circuit,introducing M57962AL,and comparing the advantages and disadvantages of the two drive modules simply.
文章编号:20080323     中图分类号:    文献标志码:
基金项目:上海市重点学科建设项目(P1301);上海市教委重点学科建设项目(J51301);上海市科研计划项目(061612041);上海市教委科研项目(06LZ016);上海电力学院人才引进基金(K2007-06)
引用文本:
王学奎,杨旭红,叶建华,等.IGBT驱动模块的研究[J].上海电力大学学报,2008,24(3):295-298.
WANG Xue-kui,YANG Xu-hong,YE Jian-hua,et al.The Research of IGBT's Drive Module[J].Journal of Shanghai University of Electric Power,2008,24(3):295-298.