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投稿时间：2010-07-12
投稿时间：2010-07-12
中文摘要: 功率MOSFET是理想的开关,在超声波电发生器、高频开关电源、高频焊机等方面使用广泛,但因驱动线路参数设计欠优而使MOSFET管烧坏的情况时有发生.根据器件和电路参数,推导出开关期间的栅极电压、漏极电流和漏极电压的封闭解.通过比较仿真结果,为功率MOSFET的驱动电路设计提供理论指导.
Abstract:The power MOSFET is almost an ideal switch, which is used widely in the ultrasonic electric generator, high frequency switching mode power supply and high frequency welding power supply.The phenomenon that MOSFET is devastated occurs frequently because the design of the drive circuit is not optimized.Closed-form solutions for the gate voltage, drain current, and drain voltage during the switching interval, in terms of each of the relevant device and circuit parameters, are derived.By comparison of the results of emulation, the theoretical direction for designing driver circuit of power MOSFET is provided.
keywords: analysis circuit mode transient course
文章编号：20100601 中图分类号： 文献标志码：
基金项目:上海市教委科研创新重点项目(11ZZ173)
| 作者 | 单位 | |
| 朱武 | 上海电力学院 计算机与信息工程学院, 上海 200090 | zjmzwzsy@126.com |
| 陶洁晶 | 苏州供电公司, 江苏 苏州 215004 | |
| 王巨灏 | 苏州供电公司, 江苏 苏州 215004 | |
| 涂祥存 | 上海电力学院 计算机与信息工程学院, 上海 200090 | |
| 管水秀 | 上海电力学院 计算机与信息工程学院, 上海 200090 |
引用文本：
朱武,陶洁晶,王巨灏,等.大功率MOSFET管开关过渡过程的分析与仿真[J].上海电力大学学报,2010,26(6):515-519.
ZHU Wu,TAO Jie-jing,WANG Ju-hao,et al.Analysis and Emulation of Power MOSFET Switching Transient Course[J].Journal of Shanghai University of Electric Power,2010,26(6):515-519.
朱武,陶洁晶,王巨灏,等.大功率MOSFET管开关过渡过程的分析与仿真[J].上海电力大学学报,2010,26(6):515-519.
ZHU Wu,TAO Jie-jing,WANG Ju-hao,et al.Analysis and Emulation of Power MOSFET Switching Transient Course[J].Journal of Shanghai University of Electric Power,2010,26(6):515-519.