UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计

阮颖; 张书霖

###

DOI:

上海电力大学学报:2013,29(3):238-245

查看/发表评论过刊浏览高级检索 HTML

←前一篇 | 后一篇→

码上扫一扫！

下载全文

UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计

阮颖¹, 张书霖²

(1.上海电力学院电子与信息工程学院,上海 200090;2.华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062)

Designof a SiGe BiCMOS Power Amplifier for UHFRFID Reader

RUAN Ying¹, ZHANG Shulin²

(1.School of Electronic & Information Engineering,Shanghai University of Electric Power,Shanghai 200090,China;2.Institute of Microelectronic Circuit and System,East China Normal University,Shanghai 200062,China)

摘要

图/表

参考文献

本刊相似文献

All Journals 相似文献

All Journals 引证文献

本文已被：浏览 1068次下载 766次
投稿时间：2013-03-20

中文摘要: 设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.

中文关键词: 功率放大器 SiGe BiCMOS工艺超高频阅读器

Abstract:A single chip of RF Power Amplifier (PA) for UHFRFID Reader is designed and implemented，whose working band is between 860 MHz and 960 MHz． The UHF RFID communication standard and 0.18 m SiGe BiCMOS technology are outlined indetail．The design method of matching circuits and adapted biasing circuit for the PA is analyzed．The circuit structure and test results are described finally．

keywords: power amplifier SiGe BiCMOS technology UHF reader

文章编号：20130309 中图分类号： 文献标志码：

基金项目:“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001)

作者	单位	E-mail
阮颖	上海电力学院电子与信息工程学院,上海 200090	ruan_ying@163.com
张书霖	华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062

Author Name	Affiliation	E-mail
RUAN Ying	School of Electronic & Information Engineering,Shanghai University of Electric Power,Shanghai 200090,China	ruan_ying@163.com
ZHANG Shulin	Institute of Microelectronic Circuit and System,East China Normal University,Shanghai 200062,China

引用文本：
阮颖,张书霖.UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计[J].上海电力大学学报,2013,29(3):238-245.
RUAN Ying,ZHANG Shulin.Designof a SiGe BiCMOS Power Amplifier for UHFRFID Reader[J].Journal of Shanghai University of Electric Power,2013,29(3):238-245.